答辩地点：

微电子所二楼会议室202

答辩委员会：

张保国(教  授)

王  如(高级实验师)

罗  翀(高级工程师)

答辩秘书：

周佳凯（博士、讲师）

答辩顺序（如下）：

1

刘梓良

新一代电子信息技术

单晶SiC衬底光催化辅助化学机械抛光的抛光液制备

2

邢卓亚

新一代电子信息技术

钴互连CMP及其表界面腐蚀抑制机理研究

3

王帅超

信息与通信工程

基于机器学习的铜CMP去除速率与表面粗糙度预测模型研究

4

张梦

电子科学与技术

先进集成电路钨CMP去除速率选择性与界面腐蚀抑制机理

5

赵明杰

新一代电子信息技术

Co₃O₄基气体传感器的气敏特性及其增敏机理研究

6

杨振文

新一代电子信息技术

基于半导体CeO2的光热催化CO2还原的机理研究

7

吴志科

电子科学与技术

基于Fe掺杂CeO₂磨料对碳化硅光催化化学机械抛光的机理研究

8

李赛微

新一代电子信息技术

基于CeO₂磨料对钌阻挡层CMP性能的影响及机理研究

9

姚兰庠

电子科学与技术

MXene基复合气敏材料的设计及气体传感器研究

10

温薪伟

新一代电子信息技术

集成电路钴基阻挡层CMP及其异质界面腐蚀抑制机理研究

11

张鑫磊

新一代电子信息技术

TSV钛基阻挡层CMP速率选择性及腐蚀抑制机理研究

12

宋少博

电子科学与技术

钌／钴基铜互连铜膜CMP中缓蚀剂的智能优选与抛光性能研究

13

王梦奇

新一代电子信息技术

基于SiO₂-TiO₂/ZrO₂混合磨料对蓝宝石CMP性能的影响及机理研究